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STB28N60M2

Name: STMicroelectronics STB28N60M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB28N60M2
Price: 2.23 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STB28N60M2

N. produttore:

STB28N60M2

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

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Scheda dati:

STB28N60M2 Scheda dati (PDF)

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Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 1000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	2,23 €	2,23 €
	1,44 €	14,40 €
	0,998 €	99,80 €
	0,801 €	400,50 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 1000)
	0,736 €	736,00 €
	0,68 €	1.360,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	600 V
Id - corrente di drain continua:	22 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	150 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3 V
Qg - Carica del gate:	36 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	170 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	MDmesh
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	8 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	7.2 ns
Serie:	STB28N60M2
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	100 ns
Tipico ritardo di accensione:	14.5 ns
Peso unità:	4 g

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Scheda dati

STB28N60M2 Scheda dati (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza MDmesh™ II

I MOSFET di potenza STMicroelectronics MDmesh™ II associano una struttura verticale alla disposizione a striscia degli STM per ottenere uno dei più bassi valori di resistenza in conduzione e carica del gate nel settore, caratteristica che li rende idonei ai più esigenti convertitori ad alta efficienza. Questi MOSFET di potenza MDmesh™ II sono totalmente isolati, hanno un integrato di profilo basso, con una maggiore distanza superficiale dal piedino alla piastra del dissipatore. Sono testati al 100% con il metodo avalanche e presentano bassi valori di capacitanza in entrata, carica del gate e resistenza in entrata al gate.
Maggiori informazioni

MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs

STMicroelectronics' MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market. Key features include low input capacitance and gate charge, low gate input resistance, and best R_DS(on)*Q_g in the industry.

Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low R_DS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.