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SSM6J507NU,LF

Name: Toshiba SSM6J507NU,LF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM6J507NULF
Price: 0.62 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
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N. Mouser:

757-SSM6J507NULF

N. produttore:

SSM6J507NU,LF

Produttore:

Toshiba

Descrizione:

MOSFET Small Signal MOSFET V=30V, I-10A

Scheda dati:

SSM6J507NU,LF Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	0,628 €	0,63 €
	0,388 €	3,88 €
	0,249 €	24,90 €
	0,19 €	95,00 €
	0,17 €	170,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,142 €	426,00 €
	0,131 €	786,00 €
	0,114 €	1.026,00 €
	0,112 €	2.688,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Toshiba
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	UDFN-6
Polarità transistor:	P-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	30 V
Id - corrente di drain continua:	10 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	20 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 25 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1 V
Qg - Carica del gate:	13.6 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	2.5 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	U-MOSVI
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Toshiba
Configurazione:	Single
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Serie:	SSM6J507
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 P-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	170 ns
Tipico ritardo di accensione:	55 ns
Peso unità:	8,500 mg

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Scheda dati

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Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low R_DS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

Semi Power MOSFETs

Toshiba Semi Power MOSFETs are designed with advanced technologies, achieving low R_ON characteristics. The Semi Power MOSFETs are very compact and thin at 2 x 2mm and 2.9 x 2.8mm, offering the low loss and compact size MOSFETs required for battery-powered devices such as smartphones and wearable devices.

USB Type-C™ Data Mux & Power Delivery Switches

Toshiba USB Type-C™ Data Mux and Power Delivery Switches support new features and new technology in mobile applications. Devices are charged with USB Power Delivery systems with higher charging voltages than before. For example, a 100W charging system delivers 20V/5A and would require a 30V-tolerant switch. Toshiba provides low-resistance 30V switches, including MOSFETs and IC switches, that provide overvoltage protection and slew rate control.