SSM3K324R,LF

Toshiba
757-SSM3K324RLF
SSM3K324R,LF

Produttore:

Descrizione:
MOSFET N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF

Scheda dati:
Modello ECAD:
Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.
Maggiori informazioni
Maggiori informazioni su Toshiba SSM3K324R,LF

A magazzino: 25.968

A magazzino:
25.968 Spedizione immediata
Tempo di consegna da parte della fabbrica:
26 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.
Minimo: 1   Multipli: 1
Prezzo Unitario:
-,-- €
Prezzo esteso:
-,-- €
Stima Tariffa:
Confezione:
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Prezzi (EUR)

Qtà Prezzo Unitario
Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ †
0,327 € 0,33 €
0,20 € 2,00 €
0,127 € 12,70 €
0,095 € 47,50 €
0,084 € 84,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
0,07 € 210,00 €
0,063 € 378,00 €
0,053 € 477,00 €
0,046 € 1.104,00 €
† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Toshiba
Categoria prodotto: MOSFET
RoHS::  
Si
N-Channel
1 Channel
U-MOSVII-H
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marchio: Toshiba
Configurazione: Single
Tipo di prodotto: MOSFETs
Serie: SSM3K324
Quantità colli di fabbrica: 3000
Sottocategoria: Transistors
Tipo di transistor: 1 N-Channel
Peso unità: 11 mg
Prodotti trovati:
Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo
Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.
Attributi selezionati: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low RDS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

Soluzioni di unità Solid State (SSD) discrete

Le soluzioni di unità Solid State (SSD) discrete Toshiba presentano un'ampia gamma di prodotti che soddisfa i più recenti requisiti con TVS, diodi a barriera Shottkey (SBD), LDO, CI di commutazione di carico e il nuovo potente CI eFuse. Queste SSD  possono analizzare i dati più velocemente rispetto a un disco rigido (HDD) tradizionale. Con il miglioramento della tecnologia SSD, quest'ultima richiederà circuiti di alimentazione che soddisfino esigenze di alimentazione sempre più rigorose, oltre a una protezione che salvaguardi i dati importanti dai guasti.  Toshiba offre una vasta gamma di interruttori di carico e MOSFET per il controllo degli ingressi di potenza, CI di protezione e diodi progettati per gestire condizioni di potenza di ingresso anomale e sovratensione durante l'hot plug.

U-MOSVII-H MOSFETs

Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are logic-level gate drive and low-voltage gate drive devices offered in both single-channel and dual-channel variants. These devices have a drain-source voltage range of 12V to 60V and a continuous drain current range from 0.15m to 9.0A. Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are offered in a wide range of compact, surface-mounted package types, making them ideal for high-density applications.

Si è verificato un errore imprevisto.


Hai domande? Si prega di visitare il Centro assistenza.
Per domande su uno specifico ordine, acceda al suo account.

In caso di ulteriori problemi, ci contatti al numero 800-346-6873 o invii un’e-mail a help@mouser.com.