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SSM3J338R,LF

Name: Toshiba SSM3J338R,LF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM3J338RLF
Price: 0.42 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

757-SSM3J338RLF

N. produttore:

SSM3J338R,LF

Produttore:

Toshiba

Descrizione:

MOSFET Small-signal MOSFET Vdss= -12V, ID= -6A

Scheda dati:

SSM3J338R,LF Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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A magazzino: 191.153

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Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	0,421 €	0,42 €
	0,257 €	2,57 €
	0,167 €	16,70 €
	0,123 €	61,50 €
	0,11 €	110,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,084 €	252,00 €
	0,082 €	492,00 €
	0,071 €	639,00 €
	0,068 €	1.632,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Toshiba
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SOT-23F
Polarità transistor:	P-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	12 V
Id - corrente di drain continua:	6 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	17.6 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	300 mV
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	1 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	U-MOSVII
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Toshiba
Configurazione:	Single
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Serie:	SSM3J338
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 P-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	383 ns
Tipico ritardo di accensione:	65 ns
Peso unità:	11 mg

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Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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