Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Hai visto un errore?

SQUN702E-T1_GE3

Name: Vishay SQUN702E-T1_GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SQUN702E-T1_GE3
Price: 3.74 EUR
Availability: OutOfStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

78-SQUN702E-T1_GE3

N. produttore:

SQUN702E-T1_GE3

Produttore:

Vishay Semiconductors

Descrizione:

MOSFET 40-V N- & P-CH COMMON DRAIN + 200-V

Scheda dati:

SQUN702E-T1_GE3 Scheda dati

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su Vishay Semiconductors SQUN702E-T1_GE3

Disponibilità

A magazzino:: Non disponibile a magazzino

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: Richiesta offerta consegna

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 2000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	3,74 €	3,74 €
	2,80 €	28,00 €
	2,43 €	243,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2000)
	2,06 €	4.120,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Vishay
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	Triple die
Polarità transistor:	N-Channel, P-Channel
Numero di canali:	3 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	40 V, 200 V
Id - corrente di drain continua:	20 A, 30 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	9.2 mOhms, 30 mOhms, 60 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.5 V, 2.5 V
Qg - Carica del gate:	14 nC, 23 nC, 30.2 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	48 W, 60 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	TrenchFET
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Vishay Semiconductors
Configurazione:	Triple
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	DE
Tempo di caduta:	2 ns, 10 ns, 19 ns
Transconduttanza diretta - Min:	16 S, 19 S, 65 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	3 ns, 9 ns, 12 ns
Serie:	SQUN
Quantità colli di fabbrica:	2000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	2 N-Channel, 1 P-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	15 ns, 22 ns, 43 ns
Tipico ritardo di accensione:	7 ns, 8 ns, 10 ns

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

SQUN702E-T1_GE3 Scheda dati

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Integrated MOSFETs with Common Drain

Vishay Integrated MOSFETs with Common Drain are 1, 2, and 3-channels offering surface mounting. The Integrated MOSFETs feature N-channel, and N+P-channel options, as well as a breakdown voltage range of 20V to 200V. The Enhancement Mode MOSFETs have 6 or 8-pins, a power dissipation range of 1.5W to 69.4W, and on drain-source resistance of 2.15mΩ to 26mΩ.

Integrated MOSFET Solutions

Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density and efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance.

N- & P-Channel Pair Thermally Enhanced MOSFETs

Vishay N- and P-Channel Pair Thermally Enhanced MOSFETs combine the N-channel and P-channel MOSFET pairs into one package. These Vishay N- and P-Channel MOSFETs are designed to minimize the ON-state Resistance (R_DS(on)) while maintaining superior switching performance. In addition, combining both the N-channel and P-channel MOSFETs into a single IC saves PCB space and simplifies application design.