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SQJ500AEP-T1_GE3

Name: Vishay SQJ500AEP-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQJ500AEP-T1_GE3
Price: 1.85 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

78-SQJ500AEP-T1_GE3

N. produttore:

SQJ500AEP-T1_GE3

Produttore:

Vishay / Siliconix

Descrizione:

MOSFET N and P Channel 40V AEC-Q101 Qualified

Scheda dati:

SQJ500AEP-T1_GE3 Scheda dati

Modello ECAD:

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Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	1,85 €	1,85 €
	1,19 €	11,90 €
	0,803 €	80,30 €
	0,64 €	320,00 €
	0,60 €	600,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,52 €	1.560,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

Confezione alternativa

Produttore Codice prodotto:

SQJ500AEP-T1_BE3

Imballaggio:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilità:

A magazzino

Prezzo:

1,85 €

Min:

Prodotto analogo

Produttore:

Vishay / Siliconix

N. produttore:

SQJ500AEP-T1_BE3

Descrizione:

MOSFET N and P CH 40V (D-S)

Confronta con la parte attuale

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Vishay
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PowerPAK-SO-8-4
Polarità transistor:	N-Channel, P-Channel
Numero di canali:	2 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	40 V
Id - corrente di drain continua:	30 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	7.7 mOhms, 22 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V
Qg - Carica del gate:	38.3 nC, 45 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	48 W
Modalità canale:	Enhancement
Qualifica:	AEC-Q101
Nome commerciale:	TrenchFET
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Vishay / Siliconix
Configurazione:	Dual
Tempo di caduta:	10 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	12 ns
Serie:	SQJ
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	22 ns
Tipico ritardo di accensione:	8 ns
Alias n. parte:	SQJ500AEP-T1_BE3
Peso unità:	506,600 mg

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Attributi selezionati: 0

                        
The BE3 suffix version of this part number is the exact form, fit, and 
function of this part number.  The only difference is the country of 
origin. The BE3 suffix part number typically has a shorter lead-time 
if not already in stock at Mouser. 
Please contact a Mouser Technical Service Representative for 
further assistance 
5-0321-7

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Scheda dati

SQJ500AEP-T1_GE3 Scheda dati

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MOSFET automobilistici SQJ

I MOSFET automobilistici SQJ di Vishay/Siliconix sono MOSFET di potenza a canale N Gen IV TrenchFET^® 40 V_DS. Questi MOSFET qualificati AEC-Q101 sono testati al 100% per R_g e UIS (Unclamped Inductive Switching), con un rapporto Q_gd/Q_gs inferiore a 1 che ottimizza le caratteristiche di commutazione. I MOSFET automobilistici SQJ hanno un valore R_DS(on) molto basso e funzionano entro un intervallo di temperature compreso tra -55 °C e 175 °C.Questi MOSFET automobilistici sono disponibili in un package SO-8L PowerPAK^® con configurazioni singole/doppie. Le applicazioni tipiche includono il settore automobilistico, la gestione motori, gli azionamenti e gli attuatori per motori e la gestione delle batterie.