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SQJ444EP-T1_GE3

Name: Vishay SQJ444EP-T1_GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SQJ444EP-T1_GE3
Price: 1.61 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

78-SQJ444EP-T1_GE3

N. produttore:

SQJ444EP-T1_GE3

Produttore:

Vishay Semiconductors

Descrizione:

MOSFET N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

Scheda dati:

SQJ444EP-T1_GE3 Scheda dati

Modello ECAD:

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Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	1,61 €	1,61 €
	1,02 €	10,20 €
	0,689 €	68,90 €
	0,546 €	273,00 €
	0,504 €	504,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,44 €	1.320,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Vishay
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PowerPAK-SO-8-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	40 V
Id - corrente di drain continua:	60 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	2.6 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.5 V
Qg - Carica del gate:	80 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	68 W
Modalità canale:	Enhancement
Qualifica:	AEC-Q101
Nome commerciale:	TrenchFET
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Vishay Semiconductors
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	21 ns
Transconduttanza diretta - Min:	80 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	19 ns
Serie:	SQJ
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	30 ns
Tipico ritardo di accensione:	11 ns
Peso unità:	506,600 mg

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Scheda dati

SQJ444EP-T1_GE3 Scheda dati

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MOSFET automobilistici SQJ

I MOSFET automobilistici SQJ di Vishay/Siliconix sono MOSFET di potenza a canale N Gen IV TrenchFET^® 40 V_DS. Questi MOSFET qualificati AEC-Q101 sono testati al 100% per R_g e UIS (Unclamped Inductive Switching), con un rapporto Q_gd/Q_gs inferiore a 1 che ottimizza le caratteristiche di commutazione. I MOSFET automobilistici SQJ hanno un valore R_DS(on) molto basso e funzionano entro un intervallo di temperature compreso tra -55 °C e 175 °C.Questi MOSFET automobilistici sono disponibili in un package SO-8L PowerPAK^® con configurazioni singole/doppie. Le applicazioni tipiche includono il settore automobilistico, la gestione motori, gli azionamenti e gli attuatori per motori e la gestione delle batterie.