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SQJ186EP-T1_GE3

Name: Vishay SQJ186EP-T1_GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SQJ186EP-T1_GE3
Price: 1.38 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

78-SQJ186EP-T1_GE3

N. produttore:

SQJ186EP-T1_GE3

Produttore:

Vishay Semiconductors

Descrizione:

MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

Scheda dati:

SQJ186EP-T1_GE3 Scheda dati

Modello ECAD:

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Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	1,38 €	1,38 €
	0,877 €	8,77 €
	0,586 €	58,60 €
	0,461 €	230,50 €
	0,421 €	421,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,388 €	1.164,00 €
	0,356 €	2.136,00 €
	0,348 €	8.352,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Vishay
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	80 V
Id - corrente di drain continua:	60 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	15 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3.5 V
Qg - Carica del gate:	24 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	135 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Vishay Semiconductors
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Serie:	SQJ
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET automobilistici SQJ

I MOSFET automobilistici SQJ di Vishay/Siliconix sono MOSFET di potenza a canale N Gen IV TrenchFET^® 40 V_DS. Questi MOSFET qualificati AEC-Q101 sono testati al 100% per R_g e UIS (Unclamped Inductive Switching), con un rapporto Q_gd/Q_gs inferiore a 1 che ottimizza le caratteristiche di commutazione. I MOSFET automobilistici SQJ hanno un valore R_DS(on) molto basso e funzionano entro un intervallo di temperature compreso tra -55 °C e 175 °C.Questi MOSFET automobilistici sono disponibili in un package SO-8L PowerPAK^® con configurazioni singole/doppie. Le applicazioni tipiche includono il settore automobilistico, la gestione motori, gli azionamenti e gli attuatori per motori e la gestione delle batterie.