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SISF20DN-T1-GE3

Name: Vishay SISF20DN-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SISF20DN-T1-GE3
Price: 2.04 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

78-SISF20DN-T1-GE3

N. produttore:

SISF20DN-T1-GE3

Produttore:

Vishay Semiconductors

Descrizione:

MOSFET Nch 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8SCD

Scheda dati:

SISF20DN-T1-GE3 Scheda dati

Modello ECAD:

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Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	2,04 €	2,04 €
	1,31 €	13,10 €
	0,894 €	89,40 €
	0,73 €	365,00 €
	0,691 €	691,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,645 €	1.935,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Vishay
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PowerPAK-1212SCD-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	2 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	60 V
Id - corrente di drain continua:	20 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	13 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3 V
Qg - Carica del gate:	22 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	69.4 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Vishay Semiconductors
Configurazione:	Dual
Tempo di caduta:	5 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	5 ns
Serie:	SISF
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Ritardo di spegnimento tipico:	19 ns
Tipico ritardo di accensione:	10 ns
Peso unità:	488,500 mg

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Application Notes

PCN

Product Change Notification (PDF)

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Integrated MOSFETs with Common Drain

Vishay Integrated MOSFETs with Common Drain are 1, 2, and 3-channels offering surface mounting. The Integrated MOSFETs feature N-channel, and N+P-channel options, as well as a breakdown voltage range of 20V to 200V. The Enhancement Mode MOSFETs have 6 or 8-pins, a power dissipation range of 1.5W to 69.4W, and on drain-source resistance of 2.15mΩ to 26mΩ.

Industrial Power Solutions

Vishay Industrial Power Solutions feature a broad selection of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. These products offer access to advanced technology and reliable components essential for creating robust, durable, and efficient industrial products. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors.

MOSFET Gen IV TrenchFET®

I MOSFET Gen IV TrenchFET^® di Vishay/Siliconix offrono una bassa resistenza in conduzione del settore e una bassa carica totale del gate in package SO-8 e 1212-8S PowerPAK^®. Questi MOSFET Gen IV TrenchFET presentano una R_DS(on) estremamente bassa, che si traduce in perdite di conduzione inferiori per una riduzione del consumo energetico. I MOSFET TrenchFET sono disponibili anche con package 1212-8 PowerPAK^® che consentono di risparmiare spazio con un'efficienza simile e un terzo delle dimensioni. Le applicazioni tipiche includono convertitori CC/CC ad alta potenza, raddrizzamento sincrono, microinverter solari e interruttori per unità di azionamento motore.