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SISF04DN-T1-GE3

Name: Vishay SISF04DN-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SISF04DN-T1-GE3
Price: 1.72 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

78-SISF04DN-T1-GE3

N. produttore:

SISF04DN-T1-GE3

Produttore:

Vishay Semiconductors

Descrizione:

MOSFET N-CHANNEL 30V(S1-S2) PowerPAK 1212-8F

Scheda dati:

SISF04DN-T1-GE3 Scheda dati

Modello ECAD:

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Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	1,72 €	1,72 €
	1,09 €	10,90 €
	0,73 €	73,00 €
	0,599 €	299,50 €
	0,524 €	524,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,503 €	1.509,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Vishay
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PowerPAK-1212-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	2 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	30 V
Id - corrente di drain continua:	108 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	4 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 12 V, 16 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.3 V
Qg - Carica del gate:	40 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	69.4 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	TrenchFET
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Vishay Semiconductors
Configurazione:	Dual
Tempo di caduta:	6 ns
Transconduttanza diretta - Min:	115 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	21 ns
Serie:	SISF
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	2 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	30 ns
Tipico ritardo di accensione:	12 ns
Peso unità:	1 g

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Application Notes

PCN

Product Change Notification (PDF)

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Integrated MOSFETs with Common Drain

Vishay Integrated MOSFETs with Common Drain are 1, 2, and 3-channels offering surface mounting. The Integrated MOSFETs feature N-channel, and N+P-channel options, as well as a breakdown voltage range of 20V to 200V. The Enhancement Mode MOSFETs have 6 or 8-pins, a power dissipation range of 1.5W to 69.4W, and on drain-source resistance of 2.15mΩ to 26mΩ.