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SIR632DP-T1-RE3

Name: Vishay SIR632DP-T1-RE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIR632DP-T1-RE3
Price: 1.66 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

78-SIR632DP-T1-RE3

N. produttore:

SIR632DP-T1-RE3

Produttore:

Vishay Semiconductors

Descrizione:

MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Scheda dati:

SIR632DP-T1-RE3 Scheda dati

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Vishay
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PowerPAK-SO-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	150 V
Id - corrente di drain continua:	29 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	28.5 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2 V
Qg - Carica del gate:	21 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	69.5 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	TrenchFET, PowerPAK
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	Vishay Semiconductors
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	21 ns
Transconduttanza diretta - Min:	18 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	27 ns
Serie:	SIR
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	9 ns
Tipico ritardo di accensione:	9 ns
Peso unità:	506,600 mg

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REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Industrial Power Solutions

Vishay Industrial Power Solutions feature a broad selection of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. These products offer access to advanced technology and reliable components essential for creating robust, durable, and efficient industrial products. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors.

ThunderFET® 150V to 250V MOSFETs

Vishay / Siliconix ThunderFET® 150V to 250V MOSFETs feature V_DS voltages of 150V, 200V, and 250V in N-Channel polarity types. Package types include the TO-252, PowerPAK SO-8, TO-263, and TO-220AB. The PowerPAK SO-8 packages achieve the best R_ds, Q_g, and Qoss by minimizing the package resistance and parasitic inductance. The SIR692DP 250V figure-of-merit (FOM) is 42% lower than prior generations. Applications for Vishay / Siliconix ThunderFET 150V to 250V MOSFETs include synchronous rectification, DC/DC converters, DC/AC inverters, and power supplies.

MOSFET di potenza ThunderFET®

I MOSFET di potenza ThunderFET® di Vishay Siliconix offrono i valori di resistenza in conduzione più bassi del settore, per MOSFET da 100 V con tensione nominale di 4,5 V. Oltre alla resistenza in conduzione e alla carica del gate, anche la cifra di merito (FOM) per MOSFET da utilizzare in applicazioni di conversione CC-CC è la migliore della categoria. Per i progettisti, la bassa resistenza in conduzione significa minori perdite in conduzione e ridotto consumo di energia, per soluzioni ecologiche orientate al risparmio energetico. Questi dispositivi sono ottimizzati per commutazione primaria e rettifica sincrona secondaria negli alimentatori CC/CC isolati per convertitori brick e bus di telecomunicazione. I MOSFET da 4,5 V di resistenza in conduzione consentono l'uso di un'ampia gamma di PWM e IC di pilotaggio del gate.
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