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SIDR608EP-T1-RE3

Name: Vishay SIDR608EP-T1-RE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIDR608EP-T1-RE3
Price: 2.75 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

78-SIDR608EP-T1-RE3

N. produttore:

SIDR608EP-T1-RE3

Produttore:

Vishay Semiconductors

Descrizione:

MOSFET N-CHANNEL 45-V (D-S) 175C MOSFET

Scheda dati:

SIDR608EP-T1-RE3 Scheda dati

Modello ECAD:

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-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	2,75 €	2,75 €
	1,88 €	18,80 €
	1,31 €	131,00 €
	1,13 €	565,00 €
	1,08 €	1.080,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,952 €	2.856,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Vishay
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PowerPAK SO-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	40 V
Id - corrente di drain continua:	228 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	1.36 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 16 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.3 V
Qg - Carica del gate:	167 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	125 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Vishay Semiconductors
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	25 ns
Transconduttanza diretta - Min:	120 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	86 ns
Serie:	SIDR
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Ritardo di spegnimento tipico:	50 ns
Tipico ritardo di accensione:	52 ns

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TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET (D-S) 30-45 V a canale N

I MOSFET (D-S) 30-45 V a canale N Vishay sono MOSFET di potenza Gen IV TrenchFET® con una cifra di merito (FOM) RDS Qg molto bassa. I dispositivi sono regolati per il FOM RDS - Qoss più basso con una funzione di raffreddamento sul lato superiore che fornisce una sede aggiuntiva per i trasferimenti termici. I MOSFET sono testati al 100% Rg e UIS.