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SI8902AEDB-T2-E1

Name: Vishay SI8902AEDB-T2-E1
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SI8902AEDB-T2-E1
Price: 0.33 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

78-SI8902AEDB-T2-E1

N. produttore:

SI8902AEDB-T2-E1

Produttore:

Vishay Semiconductors

Descrizione:

MOSFET 24V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 2.4 x 1.6

Scheda dati:

SI8902AEDB-T2-E1 Scheda dati

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Vishay
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	MicroFoot-6
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	24 V
Id - corrente di drain continua:	11 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	28 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	400 mV
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	5.7 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Marchio:	Vishay Semiconductors
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	12 us
Transconduttanza diretta - Min:	15 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	3.5 us
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	25 us
Tipico ritardo di accensione:	1.5 us
Peso unità:	128,380 mg

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Scheda dati

SI8902AEDB-T2-E1 Scheda dati

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Integrated MOSFETs with Common Drain

Vishay Integrated MOSFETs with Common Drain are 1, 2, and 3-channels offering surface mounting. The Integrated MOSFETs feature N-channel, and N+P-channel options, as well as a breakdown voltage range of 20V to 200V. The Enhancement Mode MOSFETs have 6 or 8-pins, a power dissipation range of 1.5W to 69.4W, and on drain-source resistance of 2.15mΩ to 26mΩ.

Integrated MOSFET Solutions

Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density and efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance.