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SI7898DP-T1-GE3

Name: Vishay SI7898DP-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SI7898DP-T1-GE3
Price: 2.87 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

781-SI7898DP-T1-GE3

N. produttore:

SI7898DP-T1-GE3

Produttore:

Vishay Semiconductors

Descrizione:

MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Scheda dati:

SI7898DP-T1-GE3 Scheda dati

Modello ECAD:

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Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	2,87 €	2,87 €
	1,71 €	17,10 €
	1,35 €	135,00 €
	1,25 €	625,00 €
	1,17 €	1.170,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,998 €	2.994,00 €
	0,972 €	5.832,00 €
	0,886 €	7.974,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Vishay
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PowerPAK-SO-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	150 V
Id - corrente di drain continua:	3 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	85 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2 V
Qg - Carica del gate:	17 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	1.9 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	TrenchFET
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Vishay Semiconductors
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	CN
Tempo di caduta:	17 ns
Transconduttanza diretta - Min:	15 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	10 ns
Serie:	SI7
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	24 ns
Tipico ritardo di accensione:	9 ns
Alias n. parte:	SI7898DP-GE3
Peso unità:	506,600 mg

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Scheda dati

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REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541500000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MOSFET (D-S) a canale N SI78

I MOSFET SI78 a canale N (D-S) di Vishay Semiconductorssono disponibili in un nuovo package PowerPAK^®a bassa resistenza termica con un profilo ridotto di 1,07 mm. Questi MOSFET a canale N (DS) sono ottimizzati PWM, testati per 100% R_g , privi di alogeni e conformi a RoHS. I MOSFET SI78 sono utilizzati in convertitori CC/CC, interruttori del lato primario per applicazioni CC/CC e raddrizzatori sincroni.