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SI7892BDP-T1-GE3

Name: Vishay SI7892BDP-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 781-SI7892BDP-T1-GE3
Price: 2.89 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

781-SI7892BDP-T1-GE3

N. produttore:

SI7892BDP-T1-GE3

Produttore:

Vishay / Siliconix

Descrizione:

MOSFET 30V 25A 5.4W 4.2mohm @ 10V

Scheda dati:

SI7892BDP-T1-GE3 Scheda dati

Modello ECAD:

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Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	2,89 €	2,89 €
	1,87 €	18,70 €
	1,37 €	137,00 €
	1,15 €	575,00 €
	0,989 €	989,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,937 €	2.811,00 €
24.000	Offerta

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Vishay
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PowerPAK-SO-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	30 V
Id - corrente di drain continua:	15 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	4.2 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3 V
Qg - Carica del gate:	27 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	1.8 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	TrenchFET
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Vishay / Siliconix
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	20 ns
Transconduttanza diretta - Min:	85 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	13 ns
Serie:	SI7
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	62 ns
Tipico ritardo di accensione:	20 ns
Alias n. parte:	SI7892BDP-GE3
Peso unità:	506,600 mg

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Scheda dati

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Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MOSFET (D-S) a canale N SI78

I MOSFET SI78 a canale N (D-S) di Vishay Semiconductorssono disponibili in un nuovo package PowerPAK^®a bassa resistenza termica con un profilo ridotto di 1,07 mm. Questi MOSFET a canale N (DS) sono ottimizzati PWM, testati per 100% R_g , privi di alogeni e conformi a RoHS. I MOSFET SI78 sono utilizzati in convertitori CC/CC, interruttori del lato primario per applicazioni CC/CC e raddrizzatori sincroni.