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SI7386DP-T1-GE3

Name: Vishay SI7386DP-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 781-SI7386DP-T1-GE3
Price: 2.23 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

781-SI7386DP-T1-GE3

N. produttore:

SI7386DP-T1-GE3

Produttore:

Vishay / Siliconix

Descrizione:

MOSFET 30V 19A 5.0W 7.0mohm @ 10V

Scheda dati:

SI7386DP-T1-GE3 Scheda dati

Modello ECAD:

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Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	2,23 €	2,23 €
	1,44 €	14,40 €
	0,989 €	98,90 €
	0,791 €	395,50 €
	0,765 €	765,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,67 €	2.010,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Vishay
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PowerPAK-SO-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	30 V
Id - corrente di drain continua:	19 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	7 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V
Qg - Carica del gate:	11.5 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	5 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	TrenchFET
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Vishay / Siliconix
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	10 ns
Transconduttanza diretta - Min:	50 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	9 ns
Serie:	SI7
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	35 ns
Tipico ritardo di accensione:	12 ns
Alias n. parte:	SI7386DP-GE3
Peso unità:	506,600 mg

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Scheda dati

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REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza TrenchFET® SI73

I MOSFET di potenza SI73 TrenchFET^®di Vishay Semiconductors sono disponibili in un nuovo package PowerPAK^®a bassa resistenza termica con un profilo basso di 1,07 mm. I MOSFET di potenza TrenchFET^®sono testati al 100% per R_g/UIS e sono privi di alogeni. Questi MOSFET di potenza SI73 sono ideali per l'utilizzo nei convertitori CC/CC.