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SI7370ADP-T1-GE3

Name: Vishay SI7370ADP-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 781-SI7370ADP-GE3
Price: 2.49 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

781-SI7370ADP-GE3

N. produttore:

SI7370ADP-T1-GE3

Produttore:

Vishay / Siliconix

Descrizione:

MOSFET 60V 15.8A 5.2W 10mohm @ 10V

Scheda dati:

SI7370ADP-T1-GE3 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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	1,19 €	119,00 €
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Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Vishay
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PowerPAK-1212-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	60 V
Id - corrente di drain continua:	50 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	57 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Qg - Carica del gate:	8.4 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	69.4 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	TrenchFET
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	Vishay / Siliconix
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	20 ns
Transconduttanza diretta - Min:	12 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	9 ns
Serie:	SI7
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	40 ns
Tipico ritardo di accensione:	20 ns
Alias n. parte:	SI7370ADP-GE3
Peso unità:	540 mg

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Scheda dati

SI7370ADP-T1-GE3 Scheda dati (PDF)

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza TrenchFET® SI73

I MOSFET di potenza SI73 TrenchFET^®di Vishay Semiconductors sono disponibili in un nuovo package PowerPAK^®a bassa resistenza termica con un profilo basso di 1,07 mm. I MOSFET di potenza TrenchFET^®sono testati al 100% per R_g/UIS e sono privi di alogeni. Questi MOSFET di potenza SI73 sono ideali per l'utilizzo nei convertitori CC/CC.