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SI7315DN-T1-GE3

Name: Vishay SI7315DN-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SI7315DN-T1-GE3
Price: 1.55 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

78-SI7315DN-T1-GE3

N. produttore:

SI7315DN-T1-GE3

Produttore:

Vishay Semiconductors

Descrizione:

MOSFET -150V Vds 30V Vgs PowerPAK 1212-8

Scheda dati:

SI7315DN-T1-GE3 Scheda dati

Modello ECAD:

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Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	1,55 €	1,55 €
	1,03 €	10,30 €
	0,688 €	68,80 €
	0,564 €	282,00 €
	0,494 €	494,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,454 €	1.362,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Vishay
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PowerPAK-1212-8
Polarità transistor:	P-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	150 V
Id - corrente di drain continua:	8.9 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	315 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Qg - Carica del gate:	19.5 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 50 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	52 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	TrenchFET
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Vishay Semiconductors
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	8 ns
Transconduttanza diretta - Min:	10 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	9 ns
Serie:	SI7
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 P-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	23 ns
Tipico ritardo di accensione:	8 ns
Peso unità:	1 g

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Scheda dati

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza TrenchFET® SI73

I MOSFET di potenza SI73 TrenchFET^®di Vishay Semiconductors sono disponibili in un nuovo package PowerPAK^®a bassa resistenza termica con un profilo basso di 1,07 mm. I MOSFET di potenza TrenchFET^®sono testati al 100% per R_g/UIS e sono privi di alogeni. Questi MOSFET di potenza SI73 sono ideali per l'utilizzo nei convertitori CC/CC.