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SH8KE7TB1

Name: ROHM Semiconductor SH8KE7TB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SH8KE7TB1
Price: 2.43 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

755-SH8KE7TB1

N. produttore:

SH8KE7TB1

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

MOSFET 100V 8A Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET

Scheda dati:

SH8KE7TB1 Scheda dati

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	2,43 €	2,43 €
	1,57 €	15,70 €
	1,08 €	108,00 €
	0,886 €	443,00 €
	0,849 €	849,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	0,827 €	2.067,50 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ROHM Semiconductor
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SOP-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	2 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	100 V
Id - corrente di drain continua:	8 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	20.9 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V
Qg - Carica del gate:	19.8 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	2 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	ROHM Semiconductor
Configurazione:	Dual
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	CN
Tempo di caduta:	18 ns
Transconduttanza diretta - Min:	7.1 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	22 ns
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	2 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	44 ns
Tipico ritardo di accensione:	15 ns

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Scheda dati

SH8KE7TB1 Scheda dati

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza Nch+Nch doppi SH8K

I MOSFET di potenza Nch+Nch doppi SH8K di ROHM Semiconductor presentano due MOSFET 40 V o 60 V in un piccolo package SOP8 a montaggio superficiale con otto terminali. La serie SH8K offre bassa resistenza in conduzione e R_DS(on) massima di 8,4 mΩ, 12,4 mΩ o 19,4 mΩ. Altre caratteristiche sono la dissipazione di potenza 2 W e l’ID di corrente di drain ±8,5 A, ±10.5 o ±13,5 A. Questi MOSFET conformi a RoHS sono privi di alogeni e utilizzano il rivestimento senza piombo. I MOSFET di potenza Nch+Nch doppi SH8K di ROHM Semiconductor sono ideali per applicazioni di commutazione.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.