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SH8KA4TB1

Name: ROHM Semiconductor SH8KA4TB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SH8KA4TB1
Price: 1.14 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

755-SH8KA4TB1

N. produttore:

SH8KA4TB1

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

MOSFET 30V Nch+Nch Power MOSFET

Scheda dati:

SH8KA4TB1 Scheda dati

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	1,14 €	1,14 €
	0,704 €	7,04 €
	0,466 €	46,60 €
	0,419 €	209,50 €
	0,394 €	394,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	0,383 €	957,50 €
	0,359 €	1.795,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ROHM Semiconductor
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SOP-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	2 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	30 V
Id - corrente di drain continua:	9 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	21.4 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V
Qg - Carica del gate:	15.5 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	3 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	ROHM Semiconductor
Configurazione:	Dual
Tempo di caduta:	7 ns
Transconduttanza diretta - Min:	4.6 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	19 ns
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	33 ns
Tipico ritardo di accensione:	8 ns
Alias n. parte:	SH8KA4

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TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza Nch+Nch doppi SH8K

I MOSFET di potenza Nch+Nch doppi SH8K di ROHM Semiconductor presentano due MOSFET 40 V o 60 V in un piccolo package SOP8 a montaggio superficiale con otto terminali. La serie SH8K offre bassa resistenza in conduzione e R_DS(on) massima di 8,4 mΩ, 12,4 mΩ o 19,4 mΩ. Altre caratteristiche sono la dissipazione di potenza 2 W e l’ID di corrente di drain ±8,5 A, ±10.5 o ±13,5 A. Questi MOSFET conformi a RoHS sono privi di alogeni e utilizzano il rivestimento senza piombo. I MOSFET di potenza Nch+Nch doppi SH8K di ROHM Semiconductor sono ideali per applicazioni di commutazione.