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SH8JB5TB1

Name: ROHM Semiconductor SH8JB5TB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SH8JB5TB1
Price: 2.64 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

755-SH8JB5TB1

N. produttore:

SH8JB5TB1

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

MOSFET -40V Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET

Scheda dati:

SH8JB5TB1 Scheda dati

Modello ECAD:

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Stima Tariffa:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	2,64 €	2,64 €
	1,71 €	17,10 €
	1,19 €	119,00 €
	0,998 €	499,00 €
	0,92 €	920,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	0,844 €	2.110,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ROHM Semiconductor
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SOP-8
Polarità transistor:	P-Channel
Numero di canali:	2 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	40 V
Id - corrente di drain continua:	8.5 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	15.3 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V
Qg - Carica del gate:	51 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	2 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	ROHM Semiconductor
Configurazione:	Dual
Tempo di caduta:	74 ns
Transconduttanza diretta - Min:	12 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	45 ns
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	2 P-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	130 ns
Tipico ritardo di accensione:	14 ns
Alias n. parte:	SH8JB5
Peso unità:	83 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza Pch SH8J

I MOSFET di potenza Pch SH8J di ROHM Semiconductor presentano bassa resistenza in conduzione e sono alloggiati in un piccolo package a montaggio superficiale (SOP8). ROHM offre un'ampia gamma di tensioni da prodotti per segnalazione di piccole dimensioni a prodotti ad alta tensione fino a 800 V. Possono essere utilizzati per varie applicazioni come alimentatori e circuiti di azionamento dei motori.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.