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SGT350R70GTK

Name: STMicroelectronics SGT350R70GTK
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT350R70GTK
Price: 2.24 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-SGT350R70GTK

N. produttore:

SGT350R70GTK

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor

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-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	2,24 €	2,24 €
	1,44 €	14,40 €
	1,03 €	103,00 €
	0,869 €	434,50 €
	0,82 €	820,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	0,702 €	1.755,00 €
	0,697 €	3.485,00 €
	0,68 €	6.800,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	GaN FETs
RoHS::
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DPAK-3
Vds - Tensione di rottura drain-source:	700 V
Id - corrente di drain continua:	6 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	350 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 1.4 V, + 7 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V
Qg - Carica del gate:	1.5 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	47 W
Modalità canale:	Enhancement
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	CN
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	CN
Tempo di caduta:	6.1 ns
Sensibili all’umidità:	Yes
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Prodotto:	FET
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Tempo di salita:	3.5 ns
Serie:	SGT
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN
Tipo:	PowerGaN Transistor
Ritardo di spegnimento tipico:	1.2 ns
Tipico ritardo di accensione:	0.9 ns
Peso unità:	300 mg

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JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Transistor PowerGaN E-Mode SGT350R70GTK

Il transistor PowerGaN E-Mode SGT350R70GTK di STMicroelectronics è un transistor PowerGaN ad arricchimento (E-Mode) ad alte prestazioni, ottimizzato per una conversione di potenza efficiente in applicazioni impegnative. Con una tensione nominale drain-source di 700V e una resistenza massima di 350mΩ, il transistor SGT350R70GTK di STMicroelectronics offre bassi livelli di perdite in conduzione e capacità di commutazione rapida grazie alla tecnologia al nitruro di gallio (GaN). Confezionato in un formato DPAK termicamente potenziato, il dispositivo supporta la gestione di alta corrente e una dissipazione del calore migliorata, adatto per progetti ad alta densità di potenza. Una bassa carica di gate e una bassa capacità di uscita consentono il funzionamento ad alta frequenza, ideale per l'uso nella correzione del fattore di potenza (PFC), in convertitori risonanti e in altre avanzate topologie di potenza nei settori industriale, delle telecomunicazioni e dell'elettronica di consumo.

SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors

STMicroelectronics SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.