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SCT4036DEC11

Name: ROHM Semiconductor SCT4036DEC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4036DEC11
Price: 11.51 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

755-SCT4036DEC11

N. produttore:

SCT4036DEC11

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

MOSFET SiC Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 42A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

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Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	11,51 €	11,51 €
	6,98 €	69,80 €
	6,02 €	602,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ROHM Semiconductor
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247N-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	750 V
Id - corrente di drain continua:	42 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	47 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.8 V
Qg - Carica del gate:	72 nC
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	136 W
Modalità canale:	Enhancement
Marchio:	ROHM Semiconductor
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	11 ns
Transconduttanza diretta - Min:	10 S
Confezione:	Tube
Prodotto:	Power MOSFETs
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	22 ns
Quantità colli di fabbrica:	450
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Tipo:	SiC Power MOSFET
Ritardo di spegnimento tipico:	28 ns
Tipico ritardo di accensione:	13 ns

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USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

MOSFET al SiC N-Channel da 750 V

I MOSFET SiC N-Channel da 750 V di ROHM Semiconductor possono aumentare la frequenza di commutazione, riducendo così il volume dei condensatori, dei reattori e degli altri componenti richiesti. Questi MOSFET SiC sono disponibili nei PackageTO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA e TO-247-4L. I dispositivi hanno una valutazione drain-source statica resistenza in stato attivo [RDS_(on)] (tip.) da 13 mΩ a 65 mΩ e drain continuo (ID) e source current (IS) (TC=25°C) da 22 A a 120 A. Questi MOSFET SiC da 750 V di ROHM Semiconductor offrono alte tensioni di sopportazione, bassa resistenza in stato attivo e caratteristiche di commutazione ad alta velocità, sfruttando le caratteristiche uniche della tecnologia SiC.