SCT4026DW7TL

ROHM Semiconductor
755-SCT4026DW7TL
SCT4026DW7TL

Produttore:

Descrizione:
MOSFET SiC TO263 750V 51A N-CH SIC

Scheda dati:
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ROHM Semiconductor
Categoria prodotto: MOSFET SiC
RoHS::  
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
750 V
51 A
26 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
94 nC
+ 175 C
150 W
Enhancement
Marchio: ROHM Semiconductor
Configurazione: Single
Tempo di caduta: 13 ns
Transconduttanza diretta - Min: 16 S
Confezione: Reel
Confezione: Cut Tape
Confezione: MouseReel
Prodotto: MOSFET's
Tipo di prodotto: SiC MOSFETS
Tempo di salita: 22 ns
Quantità colli di fabbrica: 1000
Sottocategoria: Transistors
Tecnologia: SiC
Tipo di transistor: 1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico: 45 ns
Tipico ritardo di accensione: 9.5 ns
Alias n. parte: SCT4026DW7
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Scheda dati

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TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

MOSFET di potenza SiC a canale N SCT4026DW7

Il MOSFET di potenza SiC a canale N SCT4026DW7 di ROHM Semiconductor è un MOSFET da 750 V, 26 mΩ, in un package TO-263-7L. L'SCT4026DW7 è facile da pilotare e da mettere in parallelo con recupero inverso rapido. L'SCT4026DW7 è ideale per inverter solari, riscaldamento a induzione e unità motore.

MOSFET al SiC N-Channel da 750 V

I MOSFET SiC N-Channel da 750 V di ROHM Semiconductor possono aumentare la frequenza di commutazione, riducendo così il volume dei condensatori, dei reattori e degli altri componenti richiesti. Questi MOSFET SiC sono disponibili nei PackageTO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA e TO-247-4L. I dispositivi hanno una valutazione drain-source statica resistenza in stato attivo [RDS(on)] (tip.) da 13 mΩ a 65 mΩ e drain continuo (ID) e source current (IS) (TC=25°C) da 22 A a 120 A. Questi MOSFET SiC da 750 V di ROHM Semiconductor offrono alte tensioni di sopportazione, bassa resistenza in stato attivo e caratteristiche di commutazione ad alta velocità, sfruttando le caratteristiche uniche della tecnologia SiC.

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