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SCT4026DEC11

Name: ROHM Semiconductor SCT4026DEC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4026DEC11
Price: 17.04 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

755-SCT4026DEC11

N. produttore:

SCT4026DEC11

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

MOSFET SiC TO247 750V 56A N-CH SIC

Scheda dati:

SCT4026DEC11 Scheda dati

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	17,04 €	17,04 €
	10,66 €	106,60 €
	10,63 €	1.063,00 €
	10,61 €	4.774,50 €
	10,60 €	9.540,00 €
10.350	Offerta

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ROHM Semiconductor
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247N-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	750 V
Id - corrente di drain continua:	56 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	26 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.8 V
Qg - Carica del gate:	94 nC
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	176 W
Modalità canale:	Enhancement
Marchio:	ROHM Semiconductor
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	16 nC
Transconduttanza diretta - Min:	16 S
Confezione:	Tube
Prodotto:	MOSFET's
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	39 nC
Quantità colli di fabbrica:	450
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	44 ns
Tipico ritardo di accensione:	10 ns
Alias n. parte:	SCT4026DE

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET al SiC N-Channel da 750 V

I MOSFET SiC N-Channel da 750 V di ROHM Semiconductor possono aumentare la frequenza di commutazione, riducendo così il volume dei condensatori, dei reattori e degli altri componenti richiesti. Questi MOSFET SiC sono disponibili nei PackageTO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA e TO-247-4L. I dispositivi hanno una valutazione drain-source statica resistenza in stato attivo [RDS_(on)] (tip.) da 13 mΩ a 65 mΩ e drain continuo (ID) e source current (IS) (TC=25°C) da 22 A a 120 A. Questi MOSFET SiC da 750 V di ROHM Semiconductor offrono alte tensioni di sopportazione, bassa resistenza in stato attivo e caratteristiche di commutazione ad alta velocità, sfruttando le caratteristiche uniche della tecnologia SiC.