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SCT040W120G3AG

Name: STMicroelectronics SCT040W120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT040W120G3AG
Price: 11.21 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-SCT040W120G3AG

N. produttore:

SCT040W120G3AG

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

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Scheda dati:

SCT040W120G3AG Scheda dati (PDF)

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	11,21 €	11,21 €
	7,84 €	78,40 €
	5,93 €	593,00 €
	5,82 €	3.492,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	HiP-247-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	40 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	54 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 18 V, + 18 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.2 V
Qg - Carica del gate:	56 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 200 C
Pd - Dissipazione di potenza:	312 W
Modalità canale:	Enhancement
Qualifica:	AEC-Q101
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	11 ns
Confezione:	Tube
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	16 ns
Quantità colli di fabbrica:	600
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Ritardo di spegnimento tipico:	23 ns
Tipico ritardo di accensione:	14 ns

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CAHTS:: 8541290000
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JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza in carburo di silicio automotive

I MOSFET di potenza in carburo di silicio di classe automotive sono stati sviluppati utilizzando l’innovativa e avanzata tecnologia MOSFET SIC di seconda e terza generazione di ST. I dispositivi presentano una bassa resistenza in conduzione per area unitaria e ottime prestazioni di commutazione. Questi MOSFET sono in grado di operare a temperature molto elevate (TJ = 200°C) e un diodo a corpo intrinseco molto veloce e robusto.

MOSFET di potenza in carburo di silicio SCTx0N120

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