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SCT025W120G3AG

Name: STMicroelectronics SCT025W120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT025W120G3AG
Price: 15.52 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-SCT025W120G3AG

N. produttore:

SCT025W120G3AG

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

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SCT025W120G3AG Scheda dati (PDF)

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	15,52 €	15,52 €
	12,43 €	124,30 €
	10,74 €	1.074,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	HiP247-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	56 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	37 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3 V
Qg - Carica del gate:	73 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 200 C
Pd - Dissipazione di potenza:	388 W
Modalità canale:	Enhancement
Qualifica:	AEC-Q101
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	18.4 ns
Confezione:	Tube
Prodotto:	SiC MOSFETS
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	6.5 ns
Quantità colli di fabbrica:	600
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Ritardo di spegnimento tipico:	29.5 ns
Tipico ritardo di accensione:	14.4 ns

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CAHTS:: 8541290000
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza in carburo di silicio automotive

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