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SCS212AJHRTLL

Name: ROHM Semiconductor SCS212AJHRTLL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCS212AJHRTLL
Price: 7.79 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

755-SCS212AJHRTLL

N. produttore:

SCS212AJHRTLL

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

Diodi Schottky SiC 650V 12A SiC SBD AEC-Q101 Qualified

Scheda dati:

SCS212AJHRTLL Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	7,79 €	7,79 €
	5,16 €	51,60 €
	4,59 €	459,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 1000)
	3,81 €	3.810,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ROHM Semiconductor
Categoria prodotto:	Diodi Schottky SiC
RoHS::
REACH - SVHC:
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	TO-263AB-3
Configurazione:	Single
If - Corrente diretta:	12 A
Vrrm - Tensione inversa ripetitiva:	650 V
Vf - Tensione diretta:	1.55 V
Ifsm - Sovracorrente diretta:	43 A
Ir - Corrente inversa:	240 uA
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Serie:	SCS2x
Qualifica:	AEC-Q101
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	ROHM Semiconductor
Pd - Dissipazione di potenza:	88 W
Tipo di prodotto:	SiC Schottky Diodes
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensione inversa:	650 V
Alias n. parte:	SCS212AJHR
Peso unità:	2,182 g

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ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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Scheda dati

SCS212AJHRTLL Scheda dati (PDF)

Models

ThermalLink

Other

Specification Sheets

SPICE Models

Technical Resources

Test/Quality Data

Constitution Material (PDF)

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

Diodi a barriera Schottky SIC AEC-Q101

I diodi a barriera SCHOTTKY SIC AEC-Q101 di ROHM Semiconductor offrono tensioni di rottura da 600 V, il che supera di gran lunga il limite superiore per gli SBD in silicio. I diodi AEC-Q101 utilizzano SIC, il che li rende ideali per circuiti e inverter PFC. Inoltre, la commutazione ad alta velocità è abilitata con un tempo di recupero inverso ultra-ridotto. Ciò riduce al minimo la carica di recupero inverso e la perdita di commutazione, contribuendo alla miniaturizzazione del prodotto finale. I diodi a barriera SCHOTTKY SIC AEC-Q101 offrono un intervallo di tensione inversa da 650 V a 1200 V, un intervallo di corrente continua diretta da 1,2 µ A a 260 µ A e un intervallo di dissipazione di potenza totale compreso tra 48 W e 280 W. I dispositivi sono disponibili in package TO-247 e TO-263, per una temperatura massima di +175°C.

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ROHM Semiconductor^® SiC (Silicon Carbide) Schottky Barrier Diodes feature low total capacitive (Q_c) that reduces switching loss, enabling high-speed switching operation. In addition, unlike silicon-based fast recovery diodes where the t_rr increases along with temperature, SiC devices maintain constant characteristics, resulting in better performance. These devices are ideal for use as key devices in a variety of applications, including inverters and chargers for EVs and solar power conditioners.

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ROHM Automotive Solutions contribute to the continuing evolution of the automotive sector through a stable, long-term supply of high-quality products. An expansive lineup supports the transition towards increased electrification and connectivity. ROHM can provide optimized solutions to suit various customer needs by focusing on safety, comfort, and the environment.