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SBRT3M30LP-7

Name: Diodes Incorporated SBRT3M30LP-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-SBRT3M30LP-7
Price: 0.59 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

621-SBRT3M30LP-7

N. produttore:

SBRT3M30LP-7

Produttore:

Diodes Incorporated

Descrizione:

Diodi e raddrizzatori Schottky 3A TrenchSBR 30V 3A 0.49Vf 0.02

Scheda dati:

SBRT3M30LP-7 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	0,593 €	0,59 €
	0,389 €	3,89 €
	0,316 €	31,60 €
	0,243 €	121,50 €
	0,219 €	219,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,174 €	522,00 €
	0,172 €	1.032,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Diodes Incorporated
Categoria prodotto:	Diodi e raddrizzatori Schottky
RoHS::
Prodotto:	Schottky Rectifiers
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	U-DFN-3030-8
Configurazione:	Single Quad Anode Quad Cathode
Tecnologia:	Si
If - Corrente diretta:	3 A
Vrrm - Tensione inversa ripetitiva:	30 V
Vf - Tensione diretta:	490 mV
Ifsm - Sovracorrente diretta:	30 A
Ir - Corrente inversa:	20 uA
Temperatura di lavoro minima:	- 65 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Serie:	SBRT3
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Diodes Incorporated
Tipo di prodotto:	Schottky Diodes & Rectifiers
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Diodes & Rectifiers
Peso unità:	12 mg

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Scheda dati

SBRT3M30LP-7 Scheda dati (PDF)

Environmental Compliance (PDF)

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

Schottky SBR® Super Barrier Rectifiers

Diodes Inc. Schottky SBR^® Super Barrier Rectifiers are Schottky rectifiers that utilize an MOS manufacturing process. This creates a superior two-terminal device that has a lower forward voltage (V_F) than comparable Schottky diodes. They possess the thermal stability and high-reliability characteristics of PN epitaxial diodes.