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SBR2U30P1-7

Name: Diodes Incorporated SBR2U30P1-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-SBR2U30P1-7
Price: 0.45 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

621-SBR2U30P1-7

N. produttore:

SBR2U30P1-7

Produttore:

Diodes Incorporated

Descrizione:

Diodi e raddrizzatori Schottky 2A 30V Ultralow VF

Scheda dati:

SBR2U30P1-7 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	0,456 €	0,46 €
	0,326 €	3,26 €
	0,243 €	24,30 €
	0,179 €	89,50 €
	0,16 €	160,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,125 €	375,00 €
	0,123 €	738,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Diodes Incorporated
Categoria prodotto:	Diodi e raddrizzatori Schottky
RoHS::
REACH - SVHC:
Prodotto:	Schottky Rectifiers
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PowerDI-123-2
Configurazione:	Single
Tecnologia:	Si
If - Corrente diretta:	2 A
Vrrm - Tensione inversa ripetitiva:	30 V
Vf - Tensione diretta:	400 mV
Ifsm - Sovracorrente diretta:	75 A
Ir - Corrente inversa:	400 uA
Temperatura di lavoro minima:	- 65 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Serie:	SBR2U
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Diodes Incorporated
Tipo di prodotto:	Schottky Diodes & Rectifiers
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Diodes & Rectifiers
Nome commerciale:	POWERDI
Vr - Tensione inversa:	30 V
Peso unità:	18 mg

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Scheda dati

SBR2U30P1-7 Scheda dati (PDF)

Environmental Compliance (PDF)

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

SBR® Super Barrier Rectifiers

Diodes Inc SBR^® Super Barrier Rectifiers use a MOS manufacturing process to create a superior two-terminal device with a lower forward voltage than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes. SBR Diodes are designed for high power, low loss and fast switching applications. The presence of a MOS channel within its structure forms a low potential barrier for the majority carriers. That means SBR forward bias operation at low voltage is similar to a Schottky diode. The leakage current is lower than Schottky Diode in reverse bias due to the overlap of the P-N depletion layers and the absence of potential barrier reduction due to the image charge.

SBR2U AEC-Q101 Qualified Super Barrier Rectifiers

Diodes Inc. SBR2U Super Barrier Rectifiers are qualified to the AEC-Q101 high-reliability standard for automotive use. Featuring Diodes Incorporated Super Barrier Rectifier SBR^® Technology, SBR2U Super Barrier Rectifiers offer low V_F, low power loss, and high efficiency. SBR2U Super Barrier Rectifiers are ideal for use in general rectification applications as boost or blocking diodes.