Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Torna ai risultati della ricerca

Hai visto un errore?

SBC846BPDW1T3G

Name: onsemi SBC846BPDW1T3G
Brand: onsemi
SKU: 863-SBC846BPDW1T3G
Price: 0.3 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

863-SBC846BPDW1T3G

N. produttore:

SBC846BPDW1T3G

Produttore:

onsemi

Descrizione:

Transistor bipolari - BJT NPN PNP Bipolar Transistor

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

SBC846BPDW1T3G Scheda dati

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su onsemi SBC846BPDW1T3G

A magazzino: 9.600

A magazzino:: 9.600 Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 32 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	0,301 €	0,30 €
	0,204 €	2,04 €
	0,129 €	12,90 €
	0,08 €	40,00 €
	0,059 €	59,00 €
	0,052 €	130,00 €
	0,046 €	230,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 10000)
	0,039 €	390,00 €
	0,035 €	700,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	Transistor bipolari - BJT
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SOT-363-6
Polarità transistor:	NPN, PNP
Configurazione:	Dual
Corrente CC massima collettore:	100 mA
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	65 V
Tensione base-collettore VCBO:	80 V
Tensione emettitore-base VEBO:	6 V
Pd - Dissipazione di potenza:	380 mW
Prodotto guadagno-larghezza di banda fT:	100 MHz
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Serie:	BC846BPDW1
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	onsemi
Corrente continua collettore:	100 mA, - 100 mA
Collettore DC/Guadagno base hfe Min:	200
Guadagno in corrente CC hFE max:	800
Tipo di prodotto:	BJTs - Bipolar Transistors
Quantità colli di fabbrica:	10000
Sottocategoria:	Transistors

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

SBC846BPDW1T3G Scheda dati

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Transistor bipolari BC846BPDW1

I transistor bipolari BC846BPDW1 Onsemi sono doppi transistor per uso generico progettati per applicazioni a montaggio superficiale a bassa potenza. Questi transistor NPN/PNP sono alloggiati nel package SOT-363/SC-88. I transistor bipolari BC846BPDW1 sono qualificati AEC-Q101, abilitati PPAP e disponibili in un package senza piombo. Questi transistor NPN/PNP sono privi di alogeni/BFR e sono conformi a RoHS. I transistor bipolari sono ideali per applicazioni a montaggio superficiale a bassa potenza.