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S34ML02G300TFI000

Name: SkyHigh Memory S34ML02G300TFI000
Brand: SkyHigh Memory
SKU: 727-S34ML02G3TFI000
Price: 4.49 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

727-S34ML02G3TFI000

N. produttore:

S34ML02G300TFI000

Produttore:

SkyHigh Memory

Descrizione:

NAND Flash 0BIT ECC, X8 I/O AND 3V VCC SLC NAND FLASH MEMORY 2KB PAGE SIZE TSOP (2Gb die)

Scheda dati:

S34ML02G300TFI000 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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A magazzino: 711

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Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	4,49 €	4,49 €
	4,13 €	41,30 €
	4,01 €	100,25 €
	3,91 €	195,50 €
	3,82 €	366,72 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	SkyHigh Memory
Categoria prodotto:	NAND Flash
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	TSOP-I-48
Dimensioni memoria:	2 Gbit
Tipo di interfaccia:	Parallel
Organizzazione:	256 M x 8
Tipo di temporizzazione:	Asynchronous
Larghezza bus dati:	8 bit
Tensione di alimentazione - Min.:	2.7 V
Tensione di alimentazione - Max.:	3.6 V
Corrente di alimentazione - Max:	35 mA
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 85 C
Confezione:	Tray
Lettura corrente attiva - Massima:	35 mA
Marchio:	SkyHigh Memory
Sensibili all’umidità:	Yes
Tipo di prodotto:	NAND Flash
Quantità colli di fabbrica:	96
Sottocategoria:	Memory & Data Storage

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Scheda dati

S34ML02G300TFI000 Scheda dati (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

CNHTS:: 8542329000
CAHTS:: 8542320040
USHTS:: 8542320051
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.1.a

S34ML0xGx SLC NAND Flash Memory

SkyHigh Memory S34ML0xGx SLC NAND Flash Memory is the first family of Single-Level Cell (SLC) NAND products using 4x nm floating-gate technology, targeted specifically for data storage in automotive, consumer, and networking applications. The SLC NAND is offered in densities from 1Gb to 8Gb, in 3.0V and 1.8V families that feature high performance, extended temperature range, long-term product support, and stringent reliability demands, such as 1-bit, 4-bit Error Correction Code (ECC). The NAND cell provides the most cost-effective solution for the solid-state mass storage market. The memory is divided into blocks that can be erased independently so it is possible to preserve valid data while old data is erased.