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RS3G160ATTB1

Name: ROHM Semiconductor RS3G160ATTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RS3G160ATTB1
Price: 2.72 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

755-RS3G160ATTB1

N. produttore:

RS3G160ATTB1

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

MOSFET Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -16.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

Scheda dati:

RS3G160ATTB1 Scheda dati

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	2,72 €	2,72 €
	1,77 €	17,70 €
	1,25 €	125,00 €
	1,06 €	530,00 €
	0,989 €	989,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	0,92 €	2.300,00 €
	0,897 €	8.970,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ROHM Semiconductor
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SOP-8
Polarità transistor:	P-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	40 V
Id - corrente di drain continua:	16 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	6.2 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1 V
Qg - Carica del gate:	120 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	2 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	ROHM Semiconductor
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	210 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	65 ns
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 P - Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	260 ns
Tipico ritardo di accensione:	24 ns
Alias n. parte:	RS3G160AT
Peso unità:	83 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.