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RQ5L030ATTCL

Name: ROHM Semiconductor RQ5L030ATTCL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ5L030ATTCL
Price: 0.73 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

755-RQ5L030ATTCL

N. produttore:

RQ5L030ATTCL

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

MOSFET Pch -60V -3.0A, SOT-346T, Small Signal MOSFET

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

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Scheda dati:

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-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	0,731 €	0,73 €
	0,455 €	4,55 €
	0,295 €	29,50 €
	0,225 €	112,50 €
	0,203 €	203,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,175 €	525,00 €
	0,161 €	966,00 €
	0,151 €	1.359,00 €
	0,143 €	3.432,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ROHM Semiconductor
Categoria prodotto:	MOSFET
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SOT-346T-3
Polarità transistor:	P-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	60 V
Id - corrente di drain continua:	3 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	99 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V
Qg - Carica del gate:	17.2 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	1 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	ROHM Semiconductor
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	31 ns
Transconduttanza diretta - Min:	4 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	17 ns
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 P-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	84 ns
Tipico ritardo di accensione:	10 ns

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET a canale P RQxAT

I dispositivi a canale P RQxAT di ROHM Semiconductor sono caratterizzati da un packaging a montaggio superficiale con bassa resistenza ON e sono testati 100% Rg e UIS. Questi MOSFET a canale P offrono una tensione di gate-source di ±20 V. I MOSFET RQ3N025AT e RQ5L030AT presentano una resistenza drain-source ON massima rispettivamente di 240 mΩ e 99 mΩ. Questi MOSFET del canale P sono conformi a RoHS e privi di alogeni. I MOSFET RQ3N025AT e RQ5L030AT offrono una tensione di drain-source di -80 V e -60 V, rispettivamente. Questi MOSFET a canale P operano all'interno dell'intervallo di temperatura da -55 °C a 150 °C. Le applicazioni tipiche includono la commutazione e gli azionamenti motori.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.