RQ3L120BJFRATCB

ROHM Semiconductor
755-RQ3L120BJFRATCB
RQ3L120BJFRATCB

Produttore:

Descrizione:
MOSFET Pch -60V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

Ciclo di vita:
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ROHM Semiconductor
Categoria prodotto: MOSFET
RoHS::  
Si
SMD/SMT
HSMT-8
P-Channel
1 Channel
60 V
12 A
106 mOhms
- 20 V, 5 V
2.5 V
15.7 nC
- 55 C
+ 150 C
40 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marchio: ROHM Semiconductor
Configurazione: Single
Tempo di caduta: 18 ns
Transconduttanza diretta - Min: 7.8 S
Tipo di prodotto: MOSFETs
Tempo di salita: 13 ns
Quantità colli di fabbrica: 3000
Sottocategoria: Transistors
Tipo di transistor: 1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico: 52 ns
Tipico ritardo di accensione: 8.7 ns
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TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

MOSFET di potenza RQ3xFRATCB

I MOSFET di potenza RQ3xFRATCB di ROHM Semiconductor  sono MOSFET qualificati AEC-Q101 di grado automobilistico. Questi MOSFET sono caratterizzati da un intervallo di tensione drain-source da -40V a 100V, 8 terminali, dissipazione di potenza fino a 69W e corrente di drain continua da ±12A   a ±27A. I MOSFET di potenza RQ3xFRATCB sono disponibili sia a canale N che a canale P. Questi MOSFET di potenza sono disponibili in un piccolo package HSMT8AG da 3,3 mm x 3,3 mm. I MOSFET di potenza RQ3xFRATCB sono ideali per i sistemi avanzati di assistenza alla guida (ADAS), l'infotainment, l'illuminazione e la carrozzeria.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.