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RQ3G120BJFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RQ3G120BJFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ3G120BJFRATCB
Price: 1.35 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

755-RQ3G120BJFRATCB

N. produttore:

RQ3G120BJFRATCB

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

MOSFET Pch -40V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

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Scheda dati:

RQ3G120BJFRATCB Scheda dati

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-,-- €

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Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	1,35 €	1,35 €
	0,855 €	8,55 €
	0,57 €	57,00 €
	0,467 €	233,50 €
	0,459 €	459,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,39 €	1.170,00 €
	0,387 €	2.322,00 €
	0,372 €	3.348,00 €
	0,37 €	8.880,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ROHM Semiconductor
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	HSMT-8
Polarità transistor:	P-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	40 V
Id - corrente di drain continua:	12 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	48 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 5 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V
Qg - Carica del gate:	15.5 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	40 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	ROHM Semiconductor
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	9.8 ns
Transconduttanza diretta - Min:	6.5 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	4.7 ns
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 P-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	36 ns
Tipico ritardo di accensione:	6.7 ns

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Scheda dati

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Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza RQ3xFRATCB

I MOSFET di potenza RQ3xFRATCB di ROHM Semiconductor sono MOSFET qualificati AEC-Q101 di grado automobilistico. Questi MOSFET sono caratterizzati da un intervallo di tensione drain-source da -40V a 100V, 8 terminali, dissipazione di potenza fino a 69W e corrente di drain continua da ±12A a ±27A. I MOSFET di potenza RQ3xFRATCB sono disponibili sia a canale N che a canale P. Questi MOSFET di potenza sono disponibili in un piccolo package HSMT8AG da 3,3 mm x 3,3 mm. I MOSFET di potenza RQ3xFRATCB sono ideali per i sistemi avanzati di assistenza alla guida (ADAS), l'infotainment, l'illuminazione e la carrozzeria.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.