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RGSX5TS65DHRC11

Name: ROHM Semiconductor RGSX5TS65DHRC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RGSX5TS65DHRC11
Price: 9.73 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

755-RGSX5TS65DHRC11

N. produttore:

RGSX5TS65DHRC11

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

IGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Automotive Field Stop Trench IGBT

Ciclo di vita:

NRND:

Non consigliato per nuovi progetti.

Scheda dati:

RGSX5TS65DHRC11 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	9,73 €	9,73 €
	5,82 €	58,20 €
	4,96 €	496,00 €
	4,84 €	2.178,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ROHM Semiconductor
Categoria prodotto:	IGBTs
RoHS::
Tecnologia:	Si
Package/involucro:	TO-247N-3
Stile di montaggio:	Through Hole
Configurazione:	Single
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	650 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore:	2.15 V
Tensione gate-emettitore massima:	30 V
Collettore a corrente continua a 25 °C:	114 A
Pd - Dissipazione di potenza:	404 W
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Confezione:	Tube
Marchio:	ROHM Semiconductor
Corrente di perdita gate-emettitore:	200 nA
Tipo di prodotto:	IGBT Transistors
Quantità colli di fabbrica:	450
Sottocategoria:	IGBTs
Alias n. parte:	RGSX5TS65DHR

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Attributi selezionati: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

Filtra documento:

Scheda dati

RGSX5TS65DHRC11 Scheda dati (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-10-15 (PDF)

Specification Sheets

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IGBT Trench Field Stop da 650 V 75 A RGSX5TS65

Gli IGBT Trench Field Stop da 75 V RGSX5TS65 di ROHM Semiconductor presentano una bassa tensione di saturazione collettore-emettitore. RGSX5TS65 ha un tempo di resistenza ai cortocircuiti di 8 μs. È qualificato per AEC-Q101 ed è dotato di rivestimento in piombo senza Pb.