Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Torna ai risultati della ricerca

Hai visto un errore?

RGS50TSX2GC11

Name: ROHM Semiconductor RGS50TSX2GC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RGS50TSX2GC11
Price: 7.8 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

755-RGS50TSX2GC11

N. produttore:

RGS50TSX2GC11

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 25A, Field Stop Trench IGBT

Scheda dati:

RGS50TSX2GC11 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su ROHM Semiconductor RGS50TSX2GC11

A magazzino: 721

A magazzino:: 721 Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 22 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	7,80 €	7,80 €
	4,58 €	45,80 €
	3,98 €	398,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ROHM Semiconductor
Categoria prodotto:	IGBTs
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Package/involucro:	TO-247N-3
Stile di montaggio:	Through Hole
Configurazione:	Single
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	1.2 kV
Tensione di saturazione collettore-emettitore:	2.1 V
Tensione gate-emettitore massima:	30 V
Collettore a corrente continua a 25 °C:	50 A
Pd - Dissipazione di potenza:	395 W
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Confezione:	Tube
Marchio:	ROHM Semiconductor
Corrente di perdita gate-emettitore:	500 nA
Tipo di prodotto:	IGBT Transistors
Quantità colli di fabbrica:	450
Sottocategoria:	IGBTs
Alias n. parte:	RGS50TSX2

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

RGS50TSX2GC11 Scheda dati (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-10-15 (PDF)

Specification Sheets

Questa funzionalità richiede l'attivazione di JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

IGBT Trench Field Stop RGSx0TSX2x

Gli IGBT Trench Field Stop RGSx0TSX2x di ROHM Semiconductor sono transistor bipolari di gate isolati garantiti SCSOA (Area operativa di sicurezza dei cortocircuiti) da 10 µs, adatti per inverter generali, UPS, inverter PV e applicazioni con condizionatori di potenza. Gli IGBT RGSx0TSX2x offrono una perdita di conduzione ridotta che contribuisce a ridurre le dimensioni e a migliorare l'efficienza. Questi dispositivi utilizzano tecnologie originali trench-gate e a wafer sottile. Queste tecnologie aiutano a raggiungere una bassa tensione di saturazione collettore-emettitore (V_CE(sat)) con perdite di commutazione ridotte. Questi IGBT forniscono un maggiore gestione dell'alimentazione in una varietà di applicazioni ad alta tensione e alta corrente.