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RFN4RSM2STFTL1

Name: ROHM Semiconductor RFN4RSM2STFTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RFN4RSM2STFTL1
Price: 1.5 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

755-RFN4RSM2STFTL1

N. produttore:

RFN4RSM2STFTL1

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

Raddrizzatori 200V 4A 13ns, TO-277A, Ultra Fast Recovery Diode for Automotive

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

RFN4RSM2STFTL1 Scheda dati (PDF)

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Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

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Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	1,50 €	1,50 €
	0,955 €	9,55 €
	0,632 €	63,20 €
	0,519 €	259,50 €
	0,454 €	454,00 €
	0,417 €	834,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 4000)
	0,412 €	1.648,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ROHM Semiconductor
Categoria prodotto:	Raddrizzatori
RoHS::
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	TO-277A-3
Vr - Tensione inversa:	200 V
If - Corrente diretta:	4 A
Tipo:	Ultra Fast Recovery Diode
Configurazione:	Single
Vf - Tensione diretta:	930 mV
Sovracorrente temporanea max:	80 A
Ir - Corrente inversa:	1 uA
Tempo di recupero:	36 ns
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	ROHM Semiconductor
Prodotto:	Rectifiers
Tipo di prodotto:	Rectifiers
Quantità colli di fabbrica:	4000
Sottocategoria:	Diodes & Rectifiers

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TARIC:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Diodi a recupero ultrarapido RFNxRSM2S

I diodi a recupero ultrarapido RFNxRSM2S di ROHM Semiconductor sono diodi planari epitassiali al silicio con bassa tensione diretta e bassa perdita di commutazione. Questi diodi ultrarapidi sono caratterizzati da una tensione inversa di picco di 200 V e da un intervallo di temperatura di stoccaggio compreso tra -55°C e 175°C. I diodi a recupero ultrarapido RFNxRSM2S forniscono un'elevata capacità di sovraccarico di corrente. Questi diodi sono disponibili in un package TO-277A. I diodi a recupero ultrarapido RFNxRSM2S sono conformi alla normativa RoHS e sono ideali per applicazioni di raddrizzamento generali.