Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Torna ai risultati della ricerca

Hai visto un errore?

RF4E080BNTR

Name: ROHM Semiconductor RF4E080BNTR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RF4E080BNTR
Price: 1.03 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

755-RF4E080BNTR

N. produttore:

RF4E080BNTR

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

Scheda dati:

RF4E080BNTR Scheda dati

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su ROHM Semiconductor RF4E080BNTR

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ROHM Semiconductor
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DFN-2020-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	30 V
Id - corrente di drain continua:	8 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	17.6 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2 V
Qg - Carica del gate:	14.5 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	2 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	ROHM Semiconductor
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	7 ns
Transconduttanza diretta - Min:	5 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	10 ns
Serie:	RF4E080BN
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	33 ns
Tipico ritardo di accensione:	8 ns
Alias n. parte:	RF4E080BN

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

RF4E080BNTR Scheda dati

Models

ThermalLink

Other

Specification Sheets

SPICE Models

SpiceLink

Technical Resources

Test/Quality Data

Codici di conformità

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Thailandia
Paese di origine dell'assemblaggio:: Non disponibile
Paese di diffusione:: Non disponibile

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

Medium Power MOSFETs

ROHM Medium Power MOSFETs are low ON-resistance devices useful for a wide range of applications. These MOSFETs feature a broad lineup with compact, high-power, and complex types to meet various needs. ROHM Medium Power MOSFETs come in high-power small mold packages, and typical applications are for DC/DC converters and load switches.

Silicon Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.

PRODOTTI IN PRIMO PIANO

ROHM SEMICONDUCTOR

MOSFET Super giunzione (SJ) da 600 V

Opzioni di package compatte e a basso profilo che offrono un'eccellente dissipazione del calore.

Maggiori informazioni

MOSFET di potenza a canale P RH7G03BBJFRA

Questo MOSFET ha una tensione nominale V_DSS di -40V e una corrente nominale I_D (V_DS= -10V) di ±22A.

Maggiori informazioni

MOSFET di potenza a canale P RJ1P10BAT

Questo MOSFET ha una tensione V_DSS nominale di -100V e una corrente I_D nominale (V_DS = 10V) di ±105A.

Maggiori informazioni

MOSFET di potenza automotive canale N RD3x

MOSFET qualificati secondo AEC-Q101 caratterizzati da bassa tensione diretta, tempo di recupero rapido ed elevata capacità di sopportare picchi di corrente.

Maggiori informazioni

MOSFET a canale P RQxAT

Confezionamento con montaggio superficiale caratterizzato da bassa resistenza ON e testato al 100% per Rg e UIS.

Maggiori informazioni

A magazzino: 2.306

A magazzino:: 2.306 Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 28 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	1,03 €	1,03 €
	0,478 €	4,78 €
	0,424 €	42,40 €
	0,329 €	164,50 €
	0,322 €	322,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,257 €	771,00 €
	0,252 €	1.512,00 €
	0,234 €	2.106,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

RF4E080BNTR

Produttore: ROHM Semiconductor

Descrizione: MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

Caratteristiche tecniche

Documenti (16)

Scheda dati

Models

Other

Specification Sheets

SPICE Models

Technical Resources

Test/Quality Data

Documenti ambientali

Conformità commerciale e del prodotto

Maggiori informazioni

Medium Power MOSFETs

Silicon Power MOSFETs

Altri clienti hanno comprato anche

PRODOTTI IN PRIMO PIANO ROHM SEMICONDUCTOR

A magazzino: 2.306

Prezzi (EUR)

QuickView

Si è verificato un errore imprevisto.

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

PRODOTTI IN PRIMO PIANO

ROHM SEMICONDUCTOR