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RF4E080BNTR

Name: ROHM Semiconductor RF4E080BNTR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RF4E080BNTR
Price: 0.61 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

755-RF4E080BNTR

N. produttore:

RF4E080BNTR

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

Scheda dati:

RF4E080BNTR Scheda dati

Modello ECAD:

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-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	0,611 €	0,61 €
	0,513 €	5,13 €
	0,353 €	35,30 €
	0,305 €	152,50 €
	0,276 €	276,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,219 €	657,00 €
	0,217 €	1.302,00 €
	0,211 €	1.899,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ROHM Semiconductor
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DFN-2020-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	30 V
Id - corrente di drain continua:	8 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	17.6 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2 V
Qg - Carica del gate:	14.5 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	2 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	ROHM Semiconductor
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	7 ns
Transconduttanza diretta - Min:	5 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	10 ns
Serie:	RF4E080BN
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	33 ns
Tipico ritardo di accensione:	8 ns
Alias n. parte:	RF4E080BN

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SPICE Models

SpiceLink

Technical Resources

Test/Quality Data

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Medium Power MOSFETs

ROHM Medium Power MOSFETs are low ON-resistance devices useful for a wide range of applications. These MOSFETs feature a broad lineup with compact, high-power, and complex types to meet various needs. ROHM Medium Power MOSFETs come in high-power small mold packages, and typical applications are for DC/DC converters and load switches.

Silicon Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.