Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Torna ai risultati della ricerca

Hai visto un errore?

RD3L08DBKHRBTL

Name: ROHM Semiconductor RD3L08DBKHRBTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3L08DBKHRBTL
Price: 2 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

755-RD3L08DBKHRBTL

N. produttore:

RD3L08DBKHRBTL

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

MOSFET TO252 N-CH 60V 80A

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

RD3L08DBKHRBTL Scheda dati

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su ROHM Semiconductor RD3L08DBKHRBTL

A magazzino: 1.742

A magazzino:: 1.742 Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 16 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	2,00 €	2,00 €
	1,29 €	12,90 €
	0,877 €	87,70 €
	0,706 €	353,00 €
	0,689 €	689,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	0,578 €	1.445,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ROHM Semiconductor
Categoria prodotto:	MOSFET
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	TO-252-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	60 V
Id - corrente di drain continua:	80 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	7.5 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V
Qg - Carica del gate:	22 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	76 W
Modalità canale:	Enhancement
Qualifica:	AEC-Q101
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	ROHM Semiconductor
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	11 ns
Transconduttanza diretta - Min:	12 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	15 ns
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	50 ns
Tipico ritardo di accensione:	18 ns

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

RD3L08DBKHRBTL Scheda dati

Questa funzionalità richiede l'attivazione di JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza per automotive da 40 A & 80 A

I MOSFET di potenza per automotive da 40 A e 80 A di ROHM Semiconductor sono dispositivi a canale N e a canale P. Questi MOSFET certificati AEC-Q101 sono caratterizzati da bassa resistenza allo stato attivo, corrente di drain pulsata ±80 A/±160 A e dissipazione di potenza fino a 142 W. I MOSFET di potenza da 40 A e 80 A operano in un intervallo di temperatura da -55°C a 175°C e sono testati al 100% per la valanga. Questi MOSFET di potenza sono ideali per le applicazioni ADAS, per il settore automobilistico e per l'illuminazione.

AEC-Q101 Automotive MOSFETs

ROHM Semiconductor AEC-Q101 Automotive MOSFETs provide wide drive type and support from a small signal to high power. These ROHM Semiconductor MOSFETs are available in a wide range of microminiature packages and help reduce the board space. The AEC-Q101 MOSFETs are automotive-supported products and are based on standard AEC-Q101. These MOSFETs offer high-speed switching and low on-resistance. The AEC-Q101 MOSFETs are available in single and dual polarities and provide a drain-source voltage ranging from -100V_DSS to 100V_DSS. These MOSFETs offer a drain-current ranging from -25A to 40A and R_DS(on) ranging from 0.004Ω to 3Ω (typical). The AEC-Q101 MOSFETs provide a total gate charge of 2nC to 80nC.

MOSFET di potenza SiC a canale N

I MOSFET di potenza al carburo di silicio (SiC) a canale N di ROHM Semiconductor non presentano corrente di coda durante la commutazione, con conseguente funzionamento più rapido e perdita di commutazione ridotta. La bassa resistenza in conduzione e le dimensioni compatte del chip garantiscono bassa capacità elettrica e bassa carica di gate. Questi MOSFET di potenza SiC ROHM mostrano aumenti minimi della resistenza in conduzione e permettono una maggiore miniaturizzazione del package. Ciò consente maggiori risparmi energetici rispetto ai dispositivi al silicio standard, in cui la resistenza in conduzione può più che raddoppiare con l'aumento della temperatura.

Silicon Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

Automotive Solutions

ROHM Automotive Solutions contribute to the continuing evolution of the automotive sector through a stable, long-term supply of high-quality products. An expansive lineup supports the transition towards increased electrification and connectivity. ROHM can provide optimized solutions to suit various customer needs by focusing on safety, comfort, and the environment.

MOSFET di potenza automotive canale N RD3x

I MOSFET di potenza a canale N RD3x per applicazioni automobilistiche di ROHM Semiconductor sono dispositivi di commutazione e raddrizzamento ad alte prestazioni progettati per l'uso in un'ampia gamma di applicazioni di potenza e segnale. I componenti ROHM RD3x certificati AEC-Q101 sono caratterizzati da bassa tensione diretta, tempi di recupero rapidi ed elevata capacità di corrente di picco, rendendo i MOSFET ideali per una conversione di potenza efficiente e la protezione in sistemi elettronici compatti. Con opzioni su misura per il settore automobilistico, industriale ed elettronico di consumo, la famiglia RD3 supporta applicazioni quali convertitori CC-CC, driver per motori, illuminazione a LED e dispositivi alimentati a batteria. Il package compatto per montaggio superficiale (TO-252-3) e la bassa corrente di dispersione contribuiscono a realizzare progetti salvaspazio ed efficienti dal punto di vista energetico, mentre l'elevata affidabilità garantisce prestazioni stabili in condizioni difficili.