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RD3G07BBGTL1

Name: ROHM Semiconductor RD3G07BBGTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3G07BBGTL1
Price: 3.07 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

755-RD3G07BBGTL1

N. produttore:

RD3G07BBGTL1

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

MOSFET Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)

Scheda dati:

RD3G07BBGTL1 Scheda dati

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	3,07 €	3,07 €
	2,00 €	20,00 €
	1,40 €	140,00 €
	1,32 €	660,00 €
	1,25 €	1.250,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	1,14 €	2.850,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ROHM Semiconductor
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	TO-252-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	40 V
Id - corrente di drain continua:	150 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	2.3 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V
Qg - Carica del gate:	56 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	89 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	ROHM Semiconductor
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	CN
Tempo di caduta:	62 ns
Transconduttanza diretta - Min:	27 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	21 ns
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	90 ns
Tipico ritardo di accensione:	22 ns

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Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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