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R8002KNXC7G

Name: ROHM Semiconductor R8002KNXC7G
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-R8002KNXC7G
Price: 2.37 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

755-R8002KNXC7G

N. produttore:

R8002KNXC7G

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

MOSFET Transistor MOSFET, Nch 800V 2A 3rd Gen, Fast Switch

Scheda dati:

R8002KNXC7G Scheda dati

Modello ECAD:

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	1,18 €	11,80 €
	1,06 €	106,00 €
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ROHM Semiconductor
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-220FM-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	800 V
Id - corrente di drain continua:	1.6 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	4.2 Ohms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.5 V
Qg - Carica del gate:	7.5 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	28 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Tube
Marchio:	ROHM Semiconductor
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	CN
Tempo di caduta:	100 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	16 ns
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	34 ns
Tipico ritardo di accensione:	15 ns
Alias n. parte:	R8002KNX

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza R8002KN n 800V 1,6A

I MOSFET di potenza da 1,6 a a 800 V a a canale N R8002KN di ROHM Semiconductor sono dispositivi a bassa resistenza in conduzione con commutazione rapida. Il R8002KN presenta un rivestimento senza piombo ed è conforme alla direttiva RoHS. I MOSFET hanno un uso parallelo facile da usare.