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R8002KND3TL1

Name: ROHM Semiconductor R8002KND3TL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-R8002KND3TL1
Price: 1.81 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

755-R8002KND3TL1

N. produttore:

R8002KND3TL1

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

MOSFET Transistor MOSFET, Nch 800V 2A 3rd Gen, Fast Switch

Scheda dati:

R8002KND3TL1 Scheda dati

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	1,81 €	1,81 €
	1,15 €	11,50 €
	0,784 €	78,40 €
	0,697 €	348,50 €
	0,583 €	583,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ROHM Semiconductor
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	TO-252-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	800 V
Id - corrente di drain continua:	1.6 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	4.2 Ohms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.5 V
Qg - Carica del gate:	7.5 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	30 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	ROHM Semiconductor
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	CN
Tempo di caduta:	100 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	16 ns
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	Power MOSFET
Ritardo di spegnimento tipico:	34 ns
Tipico ritardo di accensione:	15 ns
Alias n. parte:	R8002KND3

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TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza R8002KN n 800V 1,6A

I MOSFET di potenza da 1,6 a a 800 V a a canale N R8002KN di ROHM Semiconductor sono dispositivi a bassa resistenza in conduzione con commutazione rapida. Il R8002KN presenta un rivestimento senza piombo ed è conforme alla direttiva RoHS. I MOSFET hanno un uso parallelo facile da usare.