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R8001CND3FRATL

Name: ROHM Semiconductor R8001CND3FRATL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-R8001CND3FRATL
Price: 2.72 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

755-R8001CND3FRATL

N. produttore:

R8001CND3FRATL

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

MOSFET Transistor MOSFET, Nch 800V 1A 1st Gen, for Auto w/ESD Protect

Scheda dati:

R8001CND3FRATL Scheda dati

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	2,72 €	2,72 €
	1,77 €	17,70 €
	1,23 €	123,00 €
	1,04 €	520,00 €
	0,955 €	955,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ROHM Semiconductor
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	TO-252-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	800 V
Id - corrente di drain continua:	1 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	8.7 Ohms
Vgs - Tensione gate-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	5.5 V
Qg - Carica del gate:	7.2 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	36 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	ROHM Semiconductor
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	137 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	21 ns
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	33 ns
Tipico ritardo di accensione:	20 ns
Alias n. parte:	R8001CND3FRA
Peso unità:	330 mg

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Attributi selezionati: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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Scheda dati

R8001CND3FRATL Scheda dati

Specification Sheets

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza a canale N per il settore automobilistico R800xxND3FRA

I MOSFET di potenza a canale N R800xxND3FRA ROHM Semiconductor sono MOSFET a bassa resistenza in conduzione con circuiti di azionamento semplici. Questi MOSFET presentano velocità di commutazione elevata, placcatura senza piombo e sono qualificati AEC-Q101. I MOSFET R800xxND3FRA sono disponibili in package DPAK (TO-252). I MOSFET R800xxND3FRA di ROHM Semiconductor sono adatti per alimentatori a commutazione.