Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Torna ai risultati della ricerca

Hai visto un errore?

QH8ME5TCR

Name: ROHM Semiconductor QH8ME5TCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-QH8ME5TCR
Price: 1.03 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

755-QH8ME5TCR

N. produttore:

QH8ME5TCR

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

MOSFET 100V 2A, Dual Nch+Pch, TSMT8, Power MOSFET

Scheda dati:

QH8ME5TCR Scheda dati

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su ROHM Semiconductor QH8ME5TCR

A magazzino: 2.745

A magazzino:: 2.745 Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 16 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	1,03 €	1,03 €
	0,648 €	6,48 €
	0,409 €	40,90 €
	0,331 €	165,50 €
	0,301 €	301,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,261 €	783,00 €
	0,242 €	1.452,00 €
	0,231 €	2.079,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ROHM Semiconductor
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	TSMT-8
Polarità transistor:	N-Channel, P-Channel
Numero di canali:	2 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	100 V
Id - corrente di drain continua:	2 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	202 mOhms, 270 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V
Qg - Carica del gate:	2.8 nC, 19.7 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	1.5 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	ROHM Semiconductor
Configurazione:	Dual
Tempo di caduta:	5 ns, 48 ns
Transconduttanza diretta - Min:	1.3 S, 3.2 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	6 ns, 7 ns
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	15 ns, 105 ns
Tipico ritardo di accensione:	6 ns, 7.3 ns

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Questa funzionalità richiede l'attivazione di JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET per piccoli segnali Nch + doppio Nch QH8K

I MOSFET per piccolo segnale Nch+Nch doppio QH8K di ROHM Semiconductor supportano le tensioni 40 V, 60 V o 100 V. Questa serie è progettata per apparecchiature di ingresso 24 V come apparecchiature di automazione industriale e motori montati su stazioni base (ventole di raffreddamento). I dispositivi QH8K sono costituiti da un MOSFET Nch a bassa resistenza in conduzione, ridotto del 58% rispetto ai prodotti ROHM convenzionali. Ciò comporta un basso consumo energetico dei componenti. Questi MOSFET sono disponibili in un piccolo package TSMT8 con montaggio superficiale con otto terminali e placcatura senza piombo. I MOSFET per piccolo segnale Nch+Nch doppio QH8K di ROHM Semiconductor sono ideali per applicazioni di commutazione e azionamento motori.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.