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QH8KE5TCR

Name: ROHM Semiconductor QH8KE5TCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-QH8KE5TCR
Price: 0.89 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

755-QH8KE5TCR

N. produttore:

QH8KE5TCR

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

MOSFET 100V 2.0A, Dual Nch+Nch, TSMT8, Power MOSFET: The Power MOSFET QH8KE5 is suitable for switching power supply and motor drive.

Scheda dati:

QH8KE5TCR Scheda dati

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	0,894 €	0,89 €
	0,557 €	5,57 €
	0,365 €	36,50 €
	0,282 €	141,00 €
	0,255 €	255,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,248 €	744,00 €
	0,203 €	1.218,00 €
	0,189 €	1.701,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ROHM Semiconductor
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	TSMT-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	2 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	100 V
Id - corrente di drain continua:	2 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	202 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V
Qg - Carica del gate:	2.8 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	1.5 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	ROHM Semiconductor
Configurazione:	Dual
Tempo di caduta:	5 ns
Transconduttanza diretta - Min:	1.3 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	6 ns
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	2 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	15 ns
Tipico ritardo di accensione:	6 ns

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Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET per piccoli segnali Nch + doppio Nch QH8K

I MOSFET per piccolo segnale Nch+Nch doppio QH8K di ROHM Semiconductor supportano le tensioni 40 V, 60 V o 100 V. Questa serie è progettata per apparecchiature di ingresso 24 V come apparecchiature di automazione industriale e motori montati su stazioni base (ventole di raffreddamento). I dispositivi QH8K sono costituiti da un MOSFET Nch a bassa resistenza in conduzione, ridotto del 58% rispetto ai prodotti ROHM convenzionali. Ciò comporta un basso consumo energetico dei componenti. Questi MOSFET sono disponibili in un piccolo package TSMT8 con montaggio superficiale con otto terminali e placcatura senza piombo. I MOSFET per piccolo segnale Nch+Nch doppio QH8K di ROHM Semiconductor sono ideali per applicazioni di commutazione e azionamento motori.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.