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QH8JE5TCR

Name: ROHM Semiconductor QH8JE5TCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-QH8JE5TCR
Price: 1.17 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

755-QH8JE5TCR

N. produttore:

QH8JE5TCR

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

MOSFET 100V Dual Pch+Pch, TSMT8, Power MOSFET

Scheda dati:

QH8JE5TCR Scheda dati

Modello ECAD:

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-,-- €

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Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	1,17 €	1,17 €
	0,738 €	7,38 €
	0,467 €	46,70 €
	0,382 €	191,00 €
	0,347 €	347,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,303 €	909,00 €
	0,281 €	1.686,00 €
	0,276 €	2.484,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ROHM Semiconductor
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	TSMT-8
Polarità transistor:	P-Channel
Numero di canali:	2 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	100 V
Id - corrente di drain continua:	2 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	270 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V
Qg - Carica del gate:	19.7 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	1.5 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	ROHM Semiconductor
Configurazione:	Dual
Tempo di caduta:	48 ns
Transconduttanza diretta - Min:	3.2 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	7 ns
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	2 P-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	105 ns
Tipico ritardo di accensione:	7.3 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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