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QH8JB5TCR

Name: ROHM Semiconductor QH8JB5TCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-QH8JB5TCR
Price: 1.42 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

755-QH8JB5TCR

N. produttore:

QH8JB5TCR

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

MOSFET -40V Dual Pch+Pch Small Signal MOSFET

Scheda dati:

QH8JB5TCR Scheda dati

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	1,42 €	1,42 €
	0,859 €	8,59 €
	0,653 €	65,30 €
	0,524 €	262,00 €
	0,479 €	479,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,421 €	1.263,00 €
	0,407 €	2.442,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ROHM Semiconductor
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	TSMT-8
Polarità transistor:	P-Channel
Numero di canali:	2 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	40 V
Id - corrente di drain continua:	5 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	41 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1 V
Qg - Carica del gate:	17.2 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	1.5 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	ROHM Semiconductor
Configurazione:	Dual
Tempo di caduta:	43 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	18 ns
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	2 - P Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	82 ns
Tipico ritardo di accensione:	9.2 ns
Alias n. parte:	QH8JB5
Peso unità:	10 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza Pch QH8J

I MOSFET di potenza Pch QH8J di ROHM Semiconductor presentano una bassa resistenza in conduzione e sono alloggiati in un package a stampo piccolo (TSMT8) ad alta potenza. ROHM offre un’ampia gamma di prodotti, da quelli per la segnalazione di piccole dimensioni ai prodotti ad alta tensione fino a 800 V. Possono essere utilizzati per varie applicazioni come alimentatori e circuiti di azionamento dei motori.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.