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PSMN2R0-40YLBX

Name: Nexperia PSMN2R0-40YLBX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN2R0-40YLBX
Price: 1.53 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

771-PSMN2R0-40YLBX

N. produttore:

PSMN2R0-40YLBX

Produttore:

Nexperia

Descrizione:

MOSFET SOT669 N-CH 40V 180A

Scheda dati:

PSMN2R0-40YLBX Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

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Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	1,53 €	1,53 €
	0,98 €	9,80 €
	0,655 €	65,50 €
	0,518 €	259,00 €
	0,451 €	451,00 €
	0,446 €	669,00 €
	0,441 €	1.984,50 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Nexperia
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	Power-SO8-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	40 V
Id - corrente di drain continua:	180 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	2.1 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Qg - Carica del gate:	28 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	166 W
Modalità canale:	Enhancement
Marchio:	Nexperia
Configurazione:	Single
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Quantità colli di fabbrica:	1500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	TrenchMOS Superjunction Technology MOSFET
Alias n. parte:	934665892115

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET NextPowerS3 ottimizzati per EMC

I MOSFET NextPowerS3 ottimizzati per EMC di Nexperia sono alloggiati in package LFPAK56 altamente efficienti e salvaspazio. Questi MOSFET hanno una potenza nominale elevata. I MOSFET NextPowerS3 supportano una temperatura di giunzione massima di +175°C. Questi MOSFET sono conformi alla direttiva RoHS UE. I MOSFET NextPowerS3 presentano una temperatura di saldatura di picco di +260°C e un intervallo di temperatura di conservazione da -55°C a +175°C. Le applicazioni tipiche includono convertitori CC-CC e controllo motore CC senza spazzole.